電參數(shù)測試

分立器件靜態(tài)參數(shù)測試（DC）

執(zhí)行標準：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、

GB/T 29332-2012、GJB128B-2021

試驗對象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件；

檢測能力：檢測最大電壓：2000V 檢測最大電流：200A；

試驗參數(shù)：

漏電參數(shù)：IR、ICBO、ICEO、IDSS、IDOFF、IDRM、 IRRM、ICES、IGESF、IGESR、IEBO、IGSSF、 IGSSR；

擊穿參數(shù)：BVCEO、BVCES、BVDSS、BVCBO、VDRM、 VRRM、BVR、BVZ、BVEBO、BVGSS；

導通參數(shù)：VCESAT、VBESAT、VBEON、VF、VGSTH、VGETH、VTM；

關斷參數(shù)：VGSOFF

觸發(fā)參數(shù)：IGT、VGT

保持參數(shù)：IH、IH+、IH-

鎖定參數(shù)：IL、IL+、IL-

I-V曲線掃描

ID vs.VDS at   range of VGS

ID vs.VGS at   fixed VDS

IS vs.VSD

RDS vs.VGS   at fixed ID

RDS vs.ID at   several VGS

IDSS vs.VDS

HFE vs.IC

BVCE（O,S,R,V） vs.IC

BVEBO vs.IE

BVCBO vs.IC

VCE（SAT） vs.IC

VBE（SAT） vs.IC

VBE（ON） vs.IC （use VBE test）

VCE（SAT） vs.IB at a   range of ICVF vs. IF

功率模塊靜態(tài)參數(shù)測試（DC）

執(zhí)行標準：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、

GB/T 29332-2012；

試驗對象：DIODE、IGBT、MOSFET、SCR、整流橋等功率；

試驗能力：檢測最大電壓：7000V，檢測最大電流：5000A

試驗參數(shù)：

漏電參數(shù)：IR、ICBO、ICEO、IDSS、IDOFF、IDRM、 IRRM、ICES、IGESF、IGESR、IEBO、IGSSF、 IGSSR；

擊穿參數(shù)：BVCEO、BVCES、BVDSS、BVCBO、VDRM、 VRRM、BVR、BVZ、BVEBO、BVGSS；

導通參數(shù)：VCESAT、VBESAT、VBEON、VF、VGSTH、VGETH、VTM；

關斷參數(shù)：VGSOFF

觸發(fā)參數(shù)：IGT、VGT

保持參數(shù)：IH、IH+、IH-

鎖定參數(shù)：IL、IL+、IL-

混合參數(shù)：RDSON、GFS

開關特性測試（Switch）

執(zhí)行標準：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、

GB/T 29332-2012；

試驗對象：MOSFET

試驗能力：檢測最大電壓：4500V 檢測最大電流：5000A

試驗參數(shù)：開通/關斷時間ton/toff、上升/下降時間tr/tf、開通/關斷延遲時間td(on)/td(off)、開通/關斷損耗Eon/Eoff、電流尖峰Ic-peak max、電壓尖峰Vce-peak max、電壓變化率dv/dt、電流變化率di/dt；

反向恢復測試（Qrr）

執(zhí)行標準：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、

GB/T 29332-2012；

試驗對象：DIODE

試驗能力：檢測最大電壓：4500V 檢測最大電流：5000A

試驗參數(shù)：反向恢復電荷Qrr、反向恢復電流Irm、反向恢復時間Trr、反向恢復電流變化率diF/dt、反向恢復損耗Erec；

柵極電荷（Qg）

執(zhí)行標準：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、

GB/T 29332-2012；

試驗對象：MOSFET、IGBT、及SiC器件等分立器件及模塊；；

試驗能力：檢測最大電壓：4500V 檢測最大電流：5000A

試驗參數(shù)：柵極電荷Qg、漏極電荷Qgs、源極電荷Qgd；

短路耐量（SCSOA）

執(zhí)行標準：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、

GB/T 29332-2012；

試驗對象：DIODE、MOSFET、IGBT、及SiC器件等分立器件及IGBT模塊器件；

試驗能力：檢測最大電壓：4500V 檢測最大電流：10000A

試驗參數(shù)：短路電流Isc、短路時間Tsc、短路能量Esc；

結電容（Cg）

執(zhí)行標準：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、

GB/T 29332-2012；

試驗對象：MOSFET、IGBT、及SiC器件等分立器件及模塊；

試驗能力：頻率：0.1-1MHz、檢測最大電壓：1500V；

試驗參數(shù)：輸入電容

C-V曲線掃描

輸入電容Ciss-V；

輸出電容Coss-V；

反向傳輸電容Cres-V；

柵極電阻（Rg）

執(zhí)行標準：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、

GB/T 29332-2012；

試驗對象：DIODE、MOSFET、IGBT、及SiC器件等分立器件及IGBT模塊器件；

試驗能力：檢測最大電壓：1500V；

試驗參數(shù)：柵極等效電阻Rg

極限能力測試

正向浪涌電流測試

執(zhí)行標準：MIL-STD-750，IEC60747，客戶自定義；

試驗對象：DIODE（Si/SiC）、整流橋、SCR、IGBT；

試驗能力：檢測最大電流：10000A，10ms/8.3ms正弦半波，100us/1ms/10ms方波。

試驗參數(shù)：浪涌電流IFSM/ITSM、i²t

雷擊浪涌

非標

雪崩耐量測試（UIS）

執(zhí)行標準：MIL-STD-750，IEC60747，客戶自定義；

試驗對象：MOSFET、IGBT、DIODE，第三代半導體器件等單管器件；

試驗能力：檢測最大電壓：4500V，檢測最大電流：200A

試驗參數(shù)：雪崩能量EAS

介電性測試

執(zhí)行標準：GB/T 42125.10-2022、IEC 60243、GB   4793.1-2007；

試驗對象：Si、SiC·MOSFET；

試驗能力：檢測最大電壓：4500V，檢測最大電流：200A

功率老煉

高溫反偏試驗（HTRB）

執(zhí)行標準：GJB128、MIL-STD-750、JESD22-A108、EIAJED-4701100、AEC-Q101, 。

試驗對象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件及IGBT模塊；

試驗能力：溫度150℃；電壓5000V；

高溫柵偏試驗（HTGB）

執(zhí)行標準：GJB128、MIL-STD-750、JESD22-A108、

EIAJ   ED-4701100 、AEC-Q101、 。

試驗對象：MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件及IGBT模塊；

試驗能力：溫度150℃；電壓100V；

高溫高濕反偏試驗（H3TRB）

執(zhí)行標準：GJB128、MIL-STD-750、JESD22-A108、

EIAJ   ED-4701100 、AEC-Q101、 。

試驗對象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件及IGBT模塊；

試驗能力：溫度85℃，濕度范圍：25%~95%，電壓4500V；

功率老煉測試

試驗對象：IGBT、TVS、壓敏電阻VDR；

試驗能力：檢測最大電壓：4500V，檢測最大電流：200A

間歇壽命試驗（IOL）

執(zhí)行標準：GJB128、MIL-STD-750、 ；

試驗對象：DIODE、BJT、MOSFET、IGBT及SiC器件等分立器件；

檢測能力：ΔTj≧100℃ 電壓最大60V，電流最大50A。

功率循環(huán)試驗（

執(zhí)行標準：GJB128、MIL-STD-750、 ；

試驗對象：IGBT模塊；

檢測能力：ΔTj=100℃，電壓最大30V，電流最大1800A；

熱阻測試（

執(zhí)行標準：JESD51-1、JESD51-14、JESD24-3、JESD24-4、JESD24-6；

試驗對象：各類二極管；

試驗能力：瞬態(tài)熱阻、穩(wěn)態(tài)熱阻